Артикул
IXBT16N170AHV
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
129.69 руб.
Без НДС
3+
114.84 руб. /шт.
Без НДС
10+
102.96 руб. /шт.
Без НДС
30+
96.33 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
-
Артикул IXBT16N170AHV Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж SMD Базовая единица pcs Корпус TO268HV Температурная стабильность IXBT16N170AHV Напряжение коллектор-эмиттер 1,7кВ Напряжение затвор - эмиттер ±20В Ток коллектора 10А Ток коллектора в импульсе 40А Время включения 43нс Время выключения 370нс Тип транзистора IGBT Рассеиваемая мощность 150Вт Вид упаковки туба Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный Заряд затвора 65нC Допустимая замена Технология BiMOSFET™