Артикул
IXBT10N170
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
75.74 руб.
Без НДС
3+
68.01 руб. /шт.
Без НДС
10+
63.46 руб. /шт.
Без НДС
30+
61.18 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
-
Артикул IXBT10N170 Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж SMD Базовая единица pcs Корпус TO268 Температурная стабильность IXBT10N170 Напряжение коллектор-эмиттер 1,7кВ Напряжение затвор - эмиттер ±20В Ток коллектора 10А Ток коллектора в импульсе 40А Время включения 63нс Время выключения 1,8мкс Тип транзистора IGBT Рассеиваемая мощность 140Вт Вид упаковки туба Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный Заряд затвора 30нC Допустимая замена Технология BiMOSFET™