Артикул
IXTN200N10T
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
303.93 руб.
Без НДС
3+
268.29 руб. /шт.
Без НДС
10+
241.56 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 550Вт
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; Ugs: ±30В; 550Вт
-
Артикул IXTN200N10T Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж винтами Базовая единица pcs Корпус SOT227B Температурная стабильность IXTN200N10T Конструкция диода одиночный транзистор Время готовности 76нс Напряжение сток-исток 100В Напряжение затвор-исток ±30В Ток стока 200А Сопротивление в открытом состоянии 5,5мОм Рассеиваемая мощность 550Вт Полярность полевой Электрический монтаж винтами Тип модуля транзисторный Заряд затвора 152нC Допустимая замена Технология TrenchMV™ Вид канала обогащенный Ток стока в импульсном режиме 500А