Артикул
IXTN200N10L2
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
475.20 руб.
Без НДС
3+
427.68 руб. /шт.
Без НДС
10+
378.18 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт
-
Артикул IXTN200N10L2 Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж винтами Базовая единица pcs Корпус SOT227B Температурная стабильность IXTN200N10L2 Конструкция диода одиночный транзистор Время готовности 245нс Напряжение сток-исток 100В Напряжение затвор-исток ±30В Ток стока 178А Сопротивление в открытом состоянии 11мОм Рассеиваемая мощность 830Вт Полярность полевой Электрический монтаж винтами Тип модуля транзисторный Заряд затвора 540нC Допустимая замена Технология Linear L2™ Вид канала обогащенный Ток стока в импульсном режиме 500А