Артикул
IXFN80N50
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
623.70 руб.
Без НДС
3+
561.33 руб. /шт.
Без НДС
10+
495.99 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт
-
Артикул IXFN80N50 Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж винтами Базовая единица pcs Корпус SOT227B Температурная стабильность IXFN80N50 Конструкция диода одиночный транзистор Время готовности 250нс Напряжение сток-исток 500В Напряжение затвор-исток ±40В Ток стока 80А Сопротивление в открытом состоянии 55мОм Рассеиваемая мощность 694Вт Полярность полевой Электрический монтаж винтами Тип модуля транзисторный Заряд затвора 380нC Допустимая замена Технология HiPerFET™ Вид канала обогащенный Ток стока в импульсном режиме 320А