Артикул
IXFN60N80P
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
357.39 руб.
Без НДС
3+
321.75 руб. /шт.
Без НДС
10+
284.13 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; Ugs: ±30В; 1040Вт
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; Ugs: ±30В; 1040Вт
-
Артикул IXFN60N80P Производитель/Торговая марка IXYS Монтаж винтами Базовая единица pcs Корпус SOT227B Температурная стабильность IXFN60N80P Конструкция диода одиночный транзистор Время готовности 250нс Напряжение сток-исток 800В Напряжение затвор-исток ±30В Ток стока 53А Сопротивление в открытом состоянии 140мОм Рассеиваемая мощность 1040Вт Полярность полевой Электрический монтаж винтами Тип модуля транзисторный Заряд затвора 250нC Допустимая замена Технология Polar™ Вид канала обогащенный Ток стока в импульсном режиме 150А